品牌:EUPEC歐派克 | 型號:BSM200GA120DLC | 控制方式:其他 | 類型:電源模塊 | 功率:200W | 批號:2010+ | 電源電流:1200v | 針腳數(shù):IGBT | 電源電壓:150A | 封裝:IGBT | 屬性:屬性值

品牌:EUPEC歐派克 | 型號:BSM15GP60 | 控制方式:其他 | 類型:電源模塊 | 功率:100 | 批號:2010+ | 產(chǎn)品類型:其他 | 電源電流:1200v | 針腳數(shù):IGBT | 電源電壓:120A | 封裝:IGBT | 屬性:屬性值

品牌:EUPEC | 型號:BSM15GD120DN2-1310 | 控制方式:其他 | 類型:電源模塊 | 功率:100W | 批號:2010+ | 用途:儀器 | 電源電流:1200V | 針腳數(shù):IGBT | 電源電壓:120A | 封裝:IGBT | 屬性:屬性值

類型:電源模塊 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:6MBI75U4B-120-50 | 電源電流:75A | 電源電壓:1200V | 功率:6MBI75U4B-120-50 | 針腳數(shù):6MBI75U4B-120-50 | 封裝:全新模塊 | 批號:201+

類型:電源模塊 | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:6MBI150U4B-120 | 電源電流:150A | 電源電壓:1200V | 功率:6MBI150U4B-120 | 針腳數(shù):6MBI150U4B-120 | 封裝:全新模塊 | 批號:2014+

品牌:Semikron/西門康 | 型號:SKM400GB126D | 控制方式:單向 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:玻璃封裝

品牌:Semikron/西門康 | 型號:SKM400GB176D | 控制方式:雙向 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:金屬封裝

品牌:EUPEC | 型號:FZ1200R17KF4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

品牌:EUPEC | 型號:FZ1200R12KF4 | 控制方式:其他 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型

品牌:EUPEC | 型號:FZ800R17KF6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

品牌:索益 | 型號:ZX7-400II | 控制方式:半自動 | 焊接原理:弧焊 | 焊接材質:低碳鋼 | 保護氣體類型:其他 | 用途:焊接 | 頻段:直流 | 電流:400A | 負載持續(xù)率:100% | 工作形式:弧焊

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STGE200NB60S | 功率:標準 | 用途:儀器 | 封裝:ISOTOP | 批號:12+

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSM200GA170DLC_S4 | 控制方式:其他 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:金屬封裝 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:1（A） | 反向重復峰值電壓:1（V） | 功率:1 | 針腳數(shù):1 | 封裝:IGBT模塊封裝

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:CM50DY-12H | 控制方式:BTG | 極數(shù):多極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:高頻(快速) | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:1（A） | 反向重復峰值電壓:1（V） | 規(guī)格:50A/600V/IGBT/2U | 用途:L/功率放大 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:FS150R12KT3 | 控制方式:單向 | 極數(shù):二極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:不帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:大功率 | 額定正向平均電流:1（A） | 控制極觸發(fā)電流:1（mA） | 最大穩(wěn)定工作電流:150（A） | 反向重復峰值電壓:1200（V） | 用途:A/寬頻帶放大 | 材料:N-FET硅N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

應用范圍:放大 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:FS50R12KT3 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產(chǎn)品類型:其他 | 用途:A/寬頻帶放大

類型:電源模塊 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號:MBM200HS6A | 電源電流:MBM200HS6A | 電源電壓:MBM200HS6A | 功率:MBM200HS6A | 針腳數(shù):MBM200HS6A | 封裝:模塊 | 批號:2012+

類型:電源模塊 | 品牌:Semikron/西門康 | 型號:SKIIP37NAB12T4V1 | 電源電流:SKIIP37NAB12T4V1 | 電源電壓:SKIIP37NAB12T4V1 | 功率:SKIIP37NAB12T4V1 | 針腳數(shù):SKIIP37NAB12T4V1 | 封裝:模塊 | 批號:2012+

品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBI400S-120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 控制方式:電壓控制 | 屬性:400A/1200V/IGBT/1U

類型:電源模塊 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:F4-50R12MS4 | 電源電流:50A | 電源電壓:1200V | 功率:F4-50R12MS4 | 針腳數(shù):F4-50R12MS4 | 封裝:全新模塊 | 批號:2012+