品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4229 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:ST/意法 | 型號:MJ2955 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

應用范圍:功率 | 品牌:中芯 | 型號:3DD100 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 截止頻率fT:3 | 備注:全新原裝 | 結構:點接觸型 | 產品類型:穩(wěn)壓管 | 是否進口:否 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:BCP51 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT223 | 類型:其他IC | 批號:14+ | 封裝:sot223

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:G3DF7 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 擊穿電壓VCBO:150 | 集電極最大允許電流ICM:7.5 | 截止頻率fT:100

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP460場效應管 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MC7812CTG | 材料:MES金屬半導體 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 用途:L/功率放大 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:耗盡型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDA59N25 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:47N60C3 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:47 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:650 | 應用范圍:放大

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXFH32N50Q | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 應用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT40T301 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:5 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:16N50C3 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:16 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大