應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):13001 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
≥10 K
¥80.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):3DK1300 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:F-2 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):3DK20 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:F2 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):3DK025 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:F2 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100
產(chǎn)品類型:開關(guān)管 | 是否進(jìn)口:是 | 品牌:ON安森美 | 型號(hào):MMBD914LT1G | 材料:硅(Si) | 封裝:SOT-23 | 工作溫度范圍:-55to150(℃) | 功耗:225mW | 針腳數(shù):3 | 批號(hào):14+ | 安裝類型:表面貼裝
100-999 PCS
¥0.20
1000-2499 PCS
¥0.10
≥2500 PCS
¥0.06
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA | 型號(hào):2SA2060 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-89/SC-62
≥3000 PCS
¥0.72
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Panasonic | 型號(hào):2SJ0536 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323/SC-70
≥3000 PCS
¥0.48
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:SANYO | 型號(hào):CPH6010 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-163
≥3000 PCS
¥0.80
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:SANYO | 型號(hào):5LP02C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片
≥3000 PCS
¥0.64
加工定制:否 | 品牌:歐姆龍 | 型號(hào):E3T-ST11 | 種類:激光晶體 | 波段范圍:遠(yuǎn)紅外 | 運(yùn)轉(zhuǎn)方式:連續(xù)式 | 激勵(lì)方式:電激勵(lì)式 | 工作物質(zhì):固體 | 光路徑:反射型外光路 | 輸出形式:NPN三極管型 | 傳輸信號(hào):OC門型 | 速度:高速 | 通道:多通道
1-9 PCS
¥110.00
≥10 PCS
¥100.00
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:RUNHOM | 型號(hào):13001 TO-92 | 材料:硅(Si)
1-9 k
¥45.00
10-99 k
¥42.00
≥100 k
¥38.00
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):2SC5876 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:貼片型
≥3000 PCS
¥0.40
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SA1806J-R | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:0.125 | 集電極最大允許電流ICM:-0.05 | 截止頻率fT:1500 | 介質(zhì)材料:其他
≥8000 PCS
¥0.27
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):3DK406 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:35 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
10-99 PCS
¥40.00
≥100 PCS
¥35.00
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):3DK205 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:F-2 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100