• 村田 SMD GCJ188R71E563KA12D 25Vdc 56000pF ±10% 電容

      品牌:MURATA/村田 | 型號(hào):GCJ188R71E563KA12# | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍:中和 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:+80(%) | 耐壓值:2(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):0.1(mΩ) | 損耗:±10% | 額定電壓:56000pF(V) | 絕緣電阻:1.0(mΩ) | 溫度系數(shù):0.1 | 標(biāo)稱容量:25Vdc

    • ≥3000 PCS

      ¥0.10

    • 詢 價(jià)
    • 三星貼片電容 CL43C563JCJNNN 1812 563J 100V

      品牌:Samsung/三星 | 型號(hào):CL43C563JCJNNN | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±5(%) | 耐壓值:100(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1(mΩ) | 損耗:0 | 額定電壓:100(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數(shù):125 | 標(biāo)稱容量:0.056

    • ≥1 K

      ¥200.00

    • 詢 價(jià)
    • CBB薄膜電容1000V 0.056UF 563

      品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):CJ48 41 40 500V 0.47uf | 介質(zhì)材料:紙介 | 應(yīng)用范圍:其他 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.002(%) | 耐壓值:500(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):q(mΩ) | 損耗:q | 額定電壓:q(V) | 絕緣電阻:qqq(mΩ) | 溫度系數(shù):q | 標(biāo)稱容量:q

    • 詢 價(jià)
    • CBB薄膜電容400V 0.056UF 563

      品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):CJ48 41 40 500V 0.47uf | 介質(zhì)材料:紙介 | 應(yīng)用范圍:其他 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.002(%) | 耐壓值:500(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):q(mΩ) | 損耗:q | 額定電壓:q(V) | 絕緣電阻:qqq(mΩ) | 溫度系數(shù):q | 標(biāo)稱容量:q

    • 詢 價(jià)
    • CBB薄膜電容100V 0.056UF 563

      品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):CJ48 41 40 500V 0.47uf | 介質(zhì)材料:紙介 | 應(yīng)用范圍:其他 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.002(%) | 耐壓值:500(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):q(mΩ) | 損耗:q | 額定電壓:q(V) | 絕緣電阻:qqq(mΩ) | 溫度系數(shù):q | 標(biāo)稱容量:q

    • 詢 價(jià)
    • CBB薄膜電容 63V 0.056UF 563 56NF

      品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):CJ48 41 40 500V 0.47uf | 介質(zhì)材料:紙介 | 應(yīng)用范圍:其他 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.002(%) | 耐壓值:500(V) | 等效串聯(lián)電阻(ESR):q(mΩ) | 損耗:q | 額定電壓:q(V) | 絕緣電阻:qqq(mΩ) | 溫度系數(shù):q | 標(biāo)稱容量:q

    • 詢 價(jià)