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參數(shù)資料
| 型號： | cgb 190 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs HBT(GaAs 場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（砷化鎵場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | CGB 190 |
Data Book
1
03.00
GaAs HBT
Preliminary Data Sheet
CGB 190
HBT
power amplifier for 1900 MHz CDMA, TDMA and
WCDMA portable cellular phones.
Integrated temperature compensated bias circuit
Power down control
CMOS- switchable high/low-power mode
Simple input and output match on PCB
ESD:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge sensitive device, observe
handling precautions!
Type
Marking
Ordering Code
(taped)
Package
CGB 190
CGB 190
Q62702-G0113
P-TSSOP-10-2
Maximum Ratings
Symbol
Max. Value
Unit
Positive supply voltage
V
cc
I
cc
T
Ch
T
stg
P
pulse
P
tot
t.b.d.
V
Supply current
t.b.d.
A
Channel temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
– 55 … + 150
Pulse peak power dissipation
t.b.d.
W
Total power dissipation (
T
s
≤
80
°
C)
T
s
: Temperature at soldering point
t.b.d.
W
Thermal Resistance
Symbol
Value
Unit
Channel-soldering point
R
thChS
t.b.d.
K/W
P-TSSOP-10-2
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PDF描述 |
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