參數(shù)資料
型號： CEFM104-G
廠商： Comchip Technology Co., Ltd.
英文描述： SMD Efficient Fast Recovery Rectifier
中文描述： 貼片高效快速恢復整流器
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 83K
代理商： CEFM104-G
Page2
www.comchiptech.com
Fig.2 - Forward Characteristics
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Fig. 6 - Current Derating Curve
1.4
Fig. 5 - Test Circuit Diagram and Reverse Recovery Time Characteristics
(+)
25Vdc
(approx.)
( )
(+)
( )
PULSE
OSCILLISCOPE
(NOTE 1)
1
NOTES: 1. Rise Time= 7ns max., Input Impedance= 1 megohm.22pF.
2. Rise Time= 10ns max., Source Impedance= 50 ohms.
+0.5A
0
-0.25A
-1.0A
|
|
|
|
|
|
|
|
1cm
SET TIME BASE FOR
50 / 10ns / cm
trr
D.U.T.
10
50
0
10
20
50
40
30
1 5 10 50 100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
Single Phase
Half Wave 60Hz
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
100
10
1.0
0.1
0. 01
Tj=25 C
Tj=125 C
Tj=25 C
Pulse width 300uS
4% duty cycle
Tj=25 C
A
Ambient Temperature ( C)
0 25 50 75 100 125 150 175
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
8.3mS Single Half Sine
Wave JEDEC methode
Tj=75 C
0.01 0.1 1.0 10 100
Fig. 3 - Junction Capacitance
CEFM101-G-103-G
CEFM105-G
CEFM104-G
35
30
25
20
15
10
5
0
f=1MHz and applied
4VDC reverse voltage
Tj=25 C
CEFM101-103
CEFM104-105
Rating and Characteristic Curves (CEFM101-G thru CEFM105-G)
Fig. 1 - Reverse Characteristics
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
R
Forward Voltage (V)
F
Fig.4 - Non Repetitive Forward
Surge Curre
Number of Cycles at 60Hz
P
Reverse Voltage (V)
J
SMD Efficient Fast Recovery Rectifier
“
-G
”
suffix designates RoHS compliant Version
相關PDF資料
PDF描述
CEFM105-G SMD Efficient Fast Recovery Rectifier
CF1908-10RGI Tubular Vitreous Enamelled Wirewound Resistors
CF1600-10RFI Tubular Vitreous Enamelled Wirewound Resistors
CF1600-10RGI Tubular Vitreous Enamelled Wirewound Resistors
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