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參數(shù)資料
| 型號： | CEB09N6 |
| 英文描述： | 600V N Channel MOS |
| 中文描述： | 600V的?頻道馬鞍山 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | CEB09N6 |
Parameter
Symbol
Condition
Min
Typ Max Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
=25 C unless otherwise noted)
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Diode Forward Voltage
V
SD
V
GS
= 0V, Is =9A
1.5
V
a
Notes
a.Pulse Test:PulseWidth 300
s, Duty Cycle 2%.
b.Guaranteed by design, not subject to production testing.
4
4-44
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
,
I
D
,
b
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
ISS
C
RSS
C
OSS
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
f =1.0MH
Z
950
P
F
135
P
F
P
F
90
CEP09N6/CEB09N6
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
=10,9,8,7V
V
GS
=5V
V
GS
=6V
20
15
10
5
0
0
1
3
2
4
5
25 C
-55 C
125 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEP09N6 | 600V N Channel MOS |
| CEB10N4 | 450V N Channel MOS |
| CEP10N4 | 450V N Channel MOS |
| CEP10N6 | 600V N Channel MOS |
| CEB10N6 | 600V N Channel MOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CEB09N7A | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB09N7G | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB1012 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Transistor |
| CEB1012L | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEB10N4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:450V N Channel MOS |
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