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參數(shù)資料
| 型號： | CDP1824CEX |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32-Word x 8-Bit Static RAM |
| 中文描述： | 32 X 8 STANDARD SRAM, 710 ns, PDIP18 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | CDP1824CEX |
46
Static Burn-In Circuit
Data Retention Specifications
At T
A
= +25
o
C
PARAMETER
SYMBOL
TEST
CONDITIONS
LIMITS
UNITS
CDP1824/3
CDP1824C/3
V
DR
(V)
V
DD
(V)
MIN
MAX
MIN
MAX
Data Retention Voltage
V
DR
-
-
2.5
-
2.5
-
V
Data Retention Quiescent Current
I
DD
2.5
-
-
10
-
40
μ
A
Chip Deselect to Data Retention Time
t
CDR
2.5
5
600
-
600
-
ns
2.5
10
300
-
-
-
ns
Recovery to Normal Operation Time
t
RC
2.5
5
600
-
600
-
ns
2.5
10
300
-
-
-
ns
TYPE
V
DD
TEMPERATURE
TIME
CDP1824
11V
+125
o
C
160 Hrs., Min.
CDP1824C
7V
+125
o
C
160 Hrs., Min.
NOTE: t
r
, t
f
> 1
μ
s.
FIGURE 3. LOW V
DD
DATA RETENTION WAVEFORMS AND TIMING DIAGRAM
DATA RETENTION
MODE
0.95 V
DD
0.95 V
DD
t
F
V
DD
t
CDR
t
F
t
RC
V
DD
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
CS
(NOTE 1)
(NOTE 1)
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
10
11
12
13
14
15
16
17
18
9
8
7
6
5
4
3
2
1
All Resistors 47k
(±
±
20%)
CDP1824/3, CDP1824C/3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDP1824CE | 32-Word x 8-Bit Static RAM |
| CDP1824D3 | High-Reliability CMOS 32-Word x 8-Bit Static Random-Access Memory |
| CDP1824EX | 32-Word x 8-Bit Static RAM |
| CDP1824 | 32-Word x 8-Bit Static RAM |
| CDP1824C | 32-Word x 8-Bit Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CDP1824D | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CDP1824D3 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:High-Reliability CMOS 32-Word x 8-Bit Static Random-Access Memory |
| CDP1824DR2540 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CDP1824E | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:32-Word x 8-Bit Static RAM |
| CDP1824EX | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:32-Word x 8-Bit Static RAM |
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