參數(shù)資料
型號(hào)： CDLL645
英文描述： 8.192-V Precision Micropower Shunt Voltage Reference, 1% accuracy 3-SOT-23 -40 to 85
中文描述： 一般整流
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 33K
代理商： CDLL645
FIGURE 1
DESIGN DATA
CASE:
DO-213AA
,
Hermetically sealed
glass case. (MELF, SOD-80, LL34)
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (
ROJEC):
100 C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (
ZOJX): 35
C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
Any.
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately
+6PPM/°C. The COE of the Mounting
Surface System Should Be Selected To
Provide A Suitable Match With This
Device.
MILLIMETERS INCHES
MIN
MAX
1.60
1.70
0.41
0.55
3.30
3.70
2.54 REF.
0.03 MIN.
DIM
D
F
G
G1
S
MIN
0.063 0.067
0.016 0.022
.130
.100 REF.
.001 MIN.
MAX
.146
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
FAX (781) 665-7379
E-mail: mail@cdi-diodes.com
AVAILABLE IN
JAN, JANTX
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/240
SILICON RECTIFIER
METALLURGICALLY BONDED
1N645UR-1
CDLL645
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 400 mA @ 25oC
150 mA @ 150oC
Derating: 2.0mA/°C between 25oC to 150oC
6.0mA/°C between 150oC to 175oC
VRSM
VRWM
I FSM
TP=1/120 s
TA=25oC
A
VF
CAP
@ VR
=4V
PF
TYPE
@400mA
V(pk)
V(pk)
VDC
CDLL, 1N645UR-1
270
225
5
0.8 -1.0
2.0
IR1 at VRWM
TA=25oC
IR2 at VRWM
TA= 150°C
IR3 at VRSM
TA=25oC
TYPE
μ
A
μ
A
μ
A
CDLL, 1N645UR-1
0.05
25
50
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PDF描述
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