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參數(shù)資料
| 型號： | CD431440 |
| 英文描述： | THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.4KV V(RRM)|40A I(T) |
| 中文描述： | 晶閘管模塊|可控硅倍增| 1.4KV五（無線資源管理）| 40A條疙（T） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | CD431440 |
R-31
Powerex, Inc., 200 Hillis Street,Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CD43_ _40
Dual SCR POW-R-BLOK Module
40 Amperes/1600 Volts
Electrical Characteristics,
Tj= 25°C unless otherwise specified
CD43_ _40
Characteristics
Symbol
Test Conditions
1200
1400-1600
Units
Blocking State Maximums
Forward Off-State Current, Peak
IDRM
IRRM
Tj= 125°C
Tj= 125°C
15
20
mA
Reverse Off-State Current, Peak
15
20
mA
Conducting State Maximums
Peak On-State Voltage
VTM
VTM
ITM= 126A
Tj= 125°C,
I = 15% IT(AV)to ITSM
VTM = A + B
A + B Ln I + C I + D Sqrt I
1.75
1.77
Volts
Peak On-State Voltage Coefficients, Full Range
A = 0.628
A = 1.033
B = 0.0698
B = 0.159
C = 0.00444
C = 0.00486
D = 0.00977
D = -0.0569
Threshold Voltage, Low-Level
V(TO)1
rT1
V(TO)2
rT2
Tj= 125°C,
0.862
1.24
Volts
Slope Resistance, Low-Level
I = 15% IT(AV)to
π
IT(AV)
Tj= 125°C,
I =
π
IT(AV)to ITSM
6.55
4.40
m
Threshold Voltage, High-Level
1.073
1.233
Volts
Slope Resistance, High-Level
4.82
3.95
m
Switching Minimums
Critical Rate-of-Rise of Off-State Voltage
dv/dt
Tj= 125°C, Gate Open,
Linear to 0.67 VDRM
500
500
Volts/
m
s
Gate Parameters Maximums
Gate Current-to-Trigger
IGT
VGT
VGDM
IGTM
VGRM
Tj= 25°C, VD= 6V
Tj= 25°C, VD= 6V
Tj= 125°C, VD= VDRM
—
100
100
mA
Gate Voltage-to-Trigger
2.5
2.5
Volts
Non-Triggering Gate Voltage
0.25
0.25
Volts
Peak Forward Gate Current
2.5
2.5 Amperes
Peak Reverse Gate Voltage
—
10
10
Volts
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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