參數(shù)資料
型號(hào)： CD4048BMS
廠商： Intersil Corporation
元件分類： 速度傳感器和接近開關(guān)
英文描述： Proximity Sensor; Sensor Input Type:Inductive; Sensing Range Max:2mm; Sensor Output:PNP, NO; Switch Terminals:Connector; Sensor Housing:Cylindrical RoHS Compliant: Yes
中文描述： 擴(kuò)展的CMOS 8輸入多功能門
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： CD4048BMS
7-916
Specifications CD4048BMS
TABLE 5. BURN-IN AND LIFE TEST DELTA PARAMETERS +25
O
C
PARAMETER
SYMBOL
DELTA LIMIT
Supply Current - SSI
IDD
±
0.1
μ
A
Output Current (Sink)
IOL5
±
20% x Pre-Test Reading
Output Current (Source)
IOH5A
±
20% x Pre-Test Reading
TABLE 6. APPLICABLE SUBGROUPS
CONFORMANCE GROUP
MIL-STD-883
METHOD
GROUP A SUBGROUPS
READ AND RECORD
Initial Test (Pre Burn-In)
100% 5004
1, 7, 9
IDD, IOL5, IOH5A, RONDEL10
Interim Test 1 (Post Burn-In)
100% 5004
1, 7, 9
IDD, IOL5, IOH5A, RONDEL10
Interim Test 2 (Post Burn-In)
100% 5004
1, 7, 9
IDD, IOL5, IOH5A, RONDEL10
PDA (Note 1)
100% 5004
1, 7, 9, Deltas
Interim Test 3 (Post Burn-In)
100% 5004
1, 7, 9
IDD, IOL5, IOH5A, RONDEL10
PDA (Note 1)
100% 5004
1, 7, 9, Deltas
Final Test
100% 5004
2, 3, 8A, 8B, 10, 11
Group A
Sample 5005
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11
Group B
Subgroup B-5
Sample 5005
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11, Deltas
Subgroups 1, 2, 3, 9, 10, 11
Subgroup B-6
Sample 5005
1, 7, 9
Group D
Sample 5005
1, 2, 3, 8A, 8B, 9
Subgroups 1, 2 3
NOTE: 1. 5% Parameteric, 3% Functional; Cumulative for Static 1 and 2.
TABLE 7. TOTAL DOSE IRRADIATION
CONFORMANCE GROUPS
MIL-STD-883
METHOD
TEST
READ AND RECORD
PRE-IRRAD
POST-IRRAD
PRE-IRRAD
POST-IRRAD
Group E Subgroup 2
5005
1, 7, 9
Table 4
1, 9
Table 4
TABLE 8. BURN-IN AND IRRADIATION TEST CONNECTIONS
FUNCTION
OPEN
GROUND
VDD
9V
±
-0.5V
OSCILLATOR
50kHz
25kHz
Static Burn-In 1
Note 1
1
2 - 15
16
Static Burn-In 2
Note 1
1
8
2 - 7, 9 - 16
Dynamic Burn-
In Note 1
-
8, 15
2, 16
1
9 - 14
3 - 7
Irradiation
Note 2
1
8
2 - 7, 9 - 16
NOTE:
1. Each pin except VDD and GND will have a series resistor of 10K
±
5%, VDD = 18V
±
0.5V
2. Each pin except VDD and GND will have a series resistor of 47K
±
5%; Group E, Subgroup 2, sample size is 4 dice/wafer, 0 failures,
VDD = 10V
±
0.5V
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