參數(shù)資料
型號： CD4012BMS
廠商： Intersil Corporation
英文描述： CMOS NAND Gates
中文描述： CMOS與非門
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 113K
代理商： CD4012BMS
AC Electrical Characteristics
*
T
A
e
25
§
C, C
L
e
15 pF, and input rise and fall times
e
20 ns. Typical
temperature coefficient for all values of V
DD
e
0.3%/
§
C.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
CD4002M
t
PHL
Propagation Delay Time
High to Low Level
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
Any Input
35
25
50
40
ns
ns
t
PLH
Propagation Delay Time
Low to High Level
35
25
50
40
ns
ns
t
THL
Transition Time High
to Low Level
65
35
175
75
ns
ns
t
TLH
Transition Time Low
to High Level
65
35
125
70
ns
ns
C
IN
CD4002C
Input Capacitance
5.0
pF
t
PHL
Propagation Delay Time
High to Low Level
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
Any Input
35
25
120
65
ns
ns
T
PLH
Propagation Delay Time
Low to High Level
35
25
80
55
ns
ns
t
THL
Transition Time High
to Low Level
65
35
300
125
ns
ns
t
TLH
Transition Time Low
to High Level
65
35
200
115
ns
ns
C
IN
Input Capacitance
5.0
pF
*
AC Parameters are guaranteed by DC correlated testing.
AC Electrical Characteristics
*
T
A
e
25
§
C, C
L
e
15 pF, and input rise and fall times
e
20 ns. Typical
temperature coefficient for all values of V
DD
e
0.3%/
§
C.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
CD4012M
t
PHL
Propagation Delay Time
High to Low Level
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
Any Input
50
25
75
40
ns
ns
t
PLH
Propagation Delay Time
Low to High Level
50
25
75
40
ns
ns
t
THL
Transition Time High
to Low Level
75
50
125
75
ns
ns
t
TLH
Transition Time Low
to High Level
75
40
100
60
ns
ns
C
IN
CD4012C
Input Capacitance
5.0
pF
t
PHL
Propagation Delay Time
High to Low Level
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
V
DD
e
5.0V
V
DD
e
10V
Any Input
50
25
100
50
ns
ns
T
PLH
Propagation Delay Time
Low to High Level
50
25
100
50
ns
ns
t
THL
Transition Time High
to Low Level
75
50
150
100
ns
ns
t
TLH
Transition Time Low
to High Level
75
40
125
75
ns
ns
C
IN
Input Capacitance
5.0
pF
*
AC Parameters are guaranteed by DC correlated testing.
Note 1:
‘‘Absolute Maximum Ratings’’ are those values beyond which the safety of the device cannot be guaranteed. Except for ‘‘Operating Temperature
Range’’ they are not meant to imply that the devices should be operated at these limits. The table of ‘‘Electrical Characteristics’’ provides conditions for actual
device operation.
4
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CD4012BMTE4 功能描述:邏輯門 CMOS Dual 4-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
CD4012BMTG4 功能描述:邏輯門 CMOS Dual 4-Input NAND Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品:OR 邏輯系列:LVC 柵極數(shù)量:2 線路數(shù)量（輸入/輸出）:2 / 1 高電平輸出電流:- 16 mA 低電平輸出電流:16 mA 傳播延遲時間:3.8 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DCU-8 封裝:Reel
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