Figure 4. Resistance between RW
參數(shù)資料
型號(hào)： CAT5133ZI-10-GT3
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC POT DIG 10K 128TAP 16V 10MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
系列： DPP
接片： 128
電阻（歐姆）： 10k
電路數(shù)： 1
溫度系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)值 300 ppm/°C
存儲(chǔ)器類型： 非易失
接口： 3 線串行（芯片選擇，遞增，增/減）
電源電壓： 2.7 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 10-MSOP
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： 5133ZI-10-GT3
CAT5133
http://onsemi.com
7
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Figure 4. Resistance between RW and RL
Figure 5. ICC2 (NV Write) vs. Temperature
TAP POSITION
TEMPERATURE (C)
112
96
80
64
48
32
16
0
2
4
6
8
10
12
110
90
70
50
10
30
50
0
50
100
150
200
250
350
400
Figure 6. Absolute Linearity Error per Tap
Position
Figure 7. Relative Linearity Error
TAP POSITION
112
96
80
64
48
32
16
0
1.0
0.8
0.4
0.2
0
0.4
0.8
1.0
112
96
80
64
48
32
16
0
0.5
0.4
0.3
0.1
0
0.2
0.3
0.5
R
WL
(K
W
)
I CC2
(m
A)
A
LIN
ERROR
(LSB)
R
LIN
ERROR
(LSB)
128
30
130
300
VCC = 2.7 V
VCC = 5.5 V
128
0.6
0.2
0.6
TAMB = 25C
Rtotal = 10 K
128
0.2
0.1
0.4
VCC = 2.7 V; V+ = 8 V
VCC = 5.5 V; V+ = 16 V
TAMB = 25C
Rtotal = 10 K
VCC = 2.7 V; V+ = 8 V
VCC = 5.5 V; V+ = 16 V
VCC = 2.7 V; V+ = 8 V
VCC = 5.5 V; V+ = 16 V
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PDF描述
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