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參數(shù)資料
| 型號： | CAT28HT256 |
| 英文描述： | 256K-Bit CMOS Parallel EEPROM(5V,快速，低功耗，256K位（32K x 8位）并行CMOS EEPROM) |
| 中文描述： | 256K位CMOS并行的EEPROM（5V的，快速，低功耗，256K位（32K的× 8位）并行的CMOS EEPROM的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | CAT28HT256 |
CAT28HT256
8-94
Advanced
Stock No. 21065-03 2/98
Note:
(1) This parameter is tested intitially and after a design or process change that affects the parameter..
(2) A write pulse of less than 20ns duration will not initiate a write cycle.
(3) A timer of duration t
BLC
max. begins with every LOW to HIGH transition of WE. If allowed to time out, a page or byte write will begin;
however a transition from HIGH to LOW within t
BLC
max. stops the timer.
(4) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
A.C. CHARACTERISTICS, Write Cycle
V
CC
= 5V
±
10%, unless otherwise specified. (Temperature 0C to 170C)
28HT256-20
28HT256-25
Symbol
Parameter
Min. Max.
Min.
Max.
Units
t
WC
Write Cycle Time
10
10
ms
t
AS
Address Setup Time
0
0
ns
t
AH
Address Hold Time
75
75
ns
t
CS
CE Setup Time
0
0
ns
t
CH
CE Hold Time
0
0
ns
t
CW(2)
CE Pulse Time
100
100
ns
t
OES
OE Setup Time
0
0
ns
t
OEH
OE Hold Time
0
0
ns
t
WP(2)
WE Pulse Width
100
100
ns
t
DS
Data Setup Time
50
50
ns
t
DH
Data Hold Time
10
10
ns
t
INIT(1)
Write Inhibit Period After Power-up
5
10
5
10
ms
t
BLC(1)(3)
Byte Load Cycle Time
0.1
100
0.1
100
μ
s
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
V
CC
= 5V
±
10%, unless otherwise specified. (Temperature 0C to 170C)
28HT256-20
28HT256-25
Symbol
Parameter
Min. Max.
Min.
Max.
Units
t
RC
Read Cycle Time
200
250
ns
t
CE
CE
Access Time
200
250
ns
t
AA
Address Access Time
200
250
ns
t
OE
OE
Access Time
80
100
ns
t
LZ(1)
CE
Low to Active Output
0
0
ns
t
OLZ(1)
OE
Low to Active Output
0
0
ns
t
HZ(1)(4)
CE
High to High-Z Output
50
50
ns
t
OHZ(1)(4)
OE
High to High-Z Output
50
50
ns
t
OH(1)
Output Hold from Address Change
0
0
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CAT28HT64 | 64K-Bit CMOS Parallel EEPROM(5V,快速，低功耗，64K位（8K x 8位）并行CMOS EEPROM) |
| CAT28LV256PE-20T | 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM |
| CAT28LV256PE-25T | 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM |
| CAT28LV256PE-30T | 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM |
| CAT28LV256PI-20T | 256K-Bit CMOS PARALLEL E2PROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CAT28LV256G25 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 (32kx8) 256K 3V 250 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-25 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Catalyst Semiconductor 功能描述: |
| CAT28LV256G-25T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256K-Bit Parallel 電可擦除可編程只讀存儲器 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-30 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 (32kx8) 256K 3V 300 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| CAT28LV256G-30T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 256K-Bit Parallel 電可擦除可編程只讀存儲器 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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