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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CA3140AE |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 14/23頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP BIMOS 4.5MHZ 8-PDIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 9 V/µs |
| 增益帶寬積： | 4.5MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 10pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 2000µV |
| 電流 - 電源： | 4mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 40mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 4 V ~ 36 V，±2 V ~ 18 V |
| 工作溫度： | -55°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-PDIP |
| 包裝： | 管件 |
21
FN957.10
July 11, 2005
Metallization Mask Layout
Dimensions in parenthesis are in millimeters and are derived
from the basic inch dimensions as indicated. Grid graduations
are in mils (10-3 inch).
The photographs and dimensions represent a chip when it is
part of the wafer. When the wafer is cut into chips, the cleavage
angles are 57o instead of 90ο with respect to the face of the
chip. Therefore, the isolated chip is actually 7 mils (0.17mm)
larger in both dimensions.
62-70
(1.575-1.778)
4-10
(0.102-0.254)
60
50
40
30
20
10
0
58-66
(1.473-1.676)
50
40
30
20
10
61
0
60
65
CA3140, CA3140A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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