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CSD23201W10

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
CSD23201W10 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CSD23201W10 技術(shù)參數(shù)
  • CSD22206WT 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):8V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):-6V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2275pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA(1.5x1.5) 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD22205LT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):8V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):-6V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1390pF @ 4V FET 功能:- 功率耗散(最大值):600mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.9 毫歐 @ 1A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:4-PICOSTAR 封裝/外殼:4-XFLGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD22204WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):8V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.9m? @ 2A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24.6nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1130pF @ 4V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD22202W15 功能描述:MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):8V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.2 毫歐 @ 2A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1390pF @ 4V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:9-UFBGA,DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:9-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD20248 功能描述:BOX STEEL GRAY 20"L X 24.02"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類型:盒 大小/尺寸:20.000" 長 x 24.016" 寬(508.00mm x 610.00mm) 高度:7.992"(203.00mm) 面積(L x W):480 in2(3097 cm2) 設(shè)計(jì):鉸鏈?zhǔn)介T,蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號 特性:密封墊,壁裝 等級:IP66,NEMA 4,12,13,UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:31 磅(14.1kg) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23381F4T CSD23382F4 CSD23382F4T CSD2410 CSD2410F CSD24168 CSD242010 CSD24208 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P
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