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CSD23285F5T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD23285F5T
    CSD23285F5T

    CSD23285F5T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

  • 321150

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢庫存，原裝正品

  • CSD23285F5T
    CSD23285F5T

    CSD23285F5T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321150

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD23285F5T
    CSD23285F5T

    CSD23285F5T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 功能描述
  • 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • FemtoFET?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • P 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 5.4A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 35 毫歐 @ 1A，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 4.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 628pF @ 6V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 3-XFDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 3-PICOSTAR
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD23285F5T 技術(shù)參數(shù)
  • CSD23285F5 功能描述:MOSFET P-CH 12V 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:628pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23280F3T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:234pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23280F3 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:0.95V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.23nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-6V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:234pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:116 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23203WT 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23203W 功能描述:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:8V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19.4 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:914pF @ 4V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD242410 CSD242410W CSD242412 CSD24246 CSD24248 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T
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