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CSD19538Q2T

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19538Q2T
    CSD19538Q2T

    CSD19538Q2T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19538Q2T
    CSD19538Q2T

    CSD19538Q2T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29239

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD19538Q2T
    CSD19538Q2T

    CSD19538Q2T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13969210552

    地址:中國上海

  • 320341

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優(yōu)勢庫存,原裝正品

  • CSD19538Q2T
    CSD19538Q2T

    CSD19538Q2T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 320341

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD19538Q2T
    CSD19538Q2T

    CSD19538Q2T

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務)

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • TI

  • WSON-6

  • 21+原廠授權

  • -
  • ★原廠授權★價超代理★

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
CSD19538Q2T PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 新產(chǎn)品
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 13.1A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 59 毫歐 @ 5A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 5.6nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 454pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-WDFN 裸露焊盤
  • 供應商器件封裝
  • 6-WSON(2x2)
  • 標準包裝
  • 1
CSD19538Q2T 技術參數(shù)
  • CSD19538Q2 功能描述:MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta), 20.2W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 CSD19537Q3T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD19537Q3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 50V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD19536KTTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12000pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19536KTT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):153nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):12000pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):375W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標準包裝:1 CSD202010 CSD202012 CSD20206 CSD20208 CSD20208SS CSD20248 CSD22202W15 CSD22204W CSD22204WT CSD22205L CSD22205LT CSD22206W CSD22206WT CSD23201W10 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23203W CSD23203WT
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