CSD13385F5T

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

CSD13385F5T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29103
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD13385F5T
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業(yè)執(zhí)照
57508
Ti
(YJK)
19
-
瑞智芯只有原裝

CSD13385F5T
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯系人：優(yōu)質現貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質：營業(yè)執(zhí)照
53152
Texas Instruments
SMD
22+
-
優(yōu)勢代理，公司現貨可開票

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功能描述
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
制造商
texas instruments
系列
FemtoFET?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
4.3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
674pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
19 毫歐 @ 900mA，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
3-PICOSTAR
封裝/外殼
3-XFDFN
標準包裝
1

CSD13385F5T 技術參數

CSD13385F5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.1A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:674pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD13383F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:44 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD13383F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:44 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD13381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD13381F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD16168 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A