CPH38W23FGE3SK9X

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操作

CPH38W23FGE3SK9X
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Conec
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品，

CPH38W23FGE3SK9X
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：劉春蘭
電話：19129491434(微信同號)
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
10000
Conec
原裝
2013+
-
授權分銷現(xiàn)貨熱賣

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功能描述
PCI Express / PCI 連接器 38 POS FEMALE STR PRESSFIT
RoHS
否
制造商
JAE Electronics
系列
MM60
產品類型
PCI Express
位置/觸點數(shù)量
52
安裝角
Right
安裝風格
SMD/SMT
端接類型
Solder Pad
外殼材料
Plastic
觸點材料
Copper Alloy
觸點電鍍
Gold

CPH38W23FGE3SK9X 技術參數(shù)

CPH3462-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:785 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:155pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3461-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 170mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3461-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 170mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3459-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:90pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3457-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E CPH5518-TL-E CPH5518-TL-H CPH5520-TL-E CPH5524-TL-E CPH5541-TL-E CPH5617-TL-E CPH5852-TL-E CPH5871-TL-W CPH5901F-TL-E CPH5901G-TL-E CPH5902G-TL-E CPH5902H-TL-E CPH5905G-TL-E CPH5905H-TL-E CPH6001A-TL-E CPH6003A-TL-E