CPH3459-TL-W

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

CPH3459-TL-W
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
TY/臺灣半導(dǎo)體
SOT23-3
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

CPH3459-TL-W
深圳市暢洲科技有限公司
深圳市暢洲科技有限公司
聯(lián)系人：吳小姐
電話：852906044930755-82762262
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號都會軒2506
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
ON(安森美)
SOT-23-3
22+
-
全新原裝正品

CPH3459-TL-W
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
SANYO/ON
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

CPH3459-TL-W
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
6000
ON
SOP
22+
-
公司全新原裝正品現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
500mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
3.7 歐姆 @ 250mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
2.4nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
90pF @ 20V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝
3-CPH
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

CPH3459-TL-W 技術(shù)參數(shù)

CPH3457-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH3457-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:265pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:3-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH3456-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:71 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:260pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH3456-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:71 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:260pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH3455-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:35V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:104 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:186pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E CPH5518-TL-E CPH5518-TL-H CPH5520-TL-E CPH5524-TL-E CPH5541-TL-E CPH5617-TL-E CPH5852-TL-E CPH5871-TL-W CPH5901F-TL-E CPH5901G-TL-E CPH5902G-TL-E CPH5902H-TL-E