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CIG22H4R7MNE

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  • CIG22H4R7MNE
    CIG22H4R7MNE

    CIG22H4R7MNE

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • CIG22H4R7MNE
    CIG22H4R7MNE

    CIG22H4R7MNE

  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 379800

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 15+Rohs

  • -

  • 一級質量保證長期穩(wěn)定提供貨優(yōu)價美

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 1008 Embossed T/R
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • POWER INDUCTOR,1008,4.7UH,20%,1.00A - Tape and Reel
  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 4.7UH 0.95A 1008
  • 制造商
  • Samsung Semiconductor
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 4.7uH 20% 1MHz Ferrite 1A 1008 Embossed T/R
CIG22H4R7MNE 技術參數
  • CIG22H3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1A 133 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:133 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:2,500 CIG22H3R3MAE 功能描述:FIXED IND 3.3UH 1.1A 138 MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIG22H_MAE 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:138 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 供應商器件封裝:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:3,000 CIG22H2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 116 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:116 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22H2R2MAE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 138 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H_MAE 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:138 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22H1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 104 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22H 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:- 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:104 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 CIG22L4R7MNE CIG22L6R8MNE CIG22LR47MNE CIG32H2R2MNE CIG32W1R0MNE CIGT160806UM1R0MNC CIGT160808XMR24MNC CIGT1608R6EH1R0MNC CIGT201206EH1R0MNE CIGT201206UM1R0MNE CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE
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