CIGT201206UM1R0MNE

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： CIGT201208EH1R0MNE CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE

CIGT201206UM1R0MNE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

CIGT201206UM1R0MNE PDF下載

功能描述
FIXED IND 1UH 1.5A 184MOHM SMD
制造商
samsung electro-mechanics
系列
CIGT
零件狀態(tài)
在售
類型
薄膜
材料 - 磁芯
金屬合成物
電感
1μH
容差
±20%
額定電流
1.5A
電流 - 飽和值
2.2A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
184 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
特性
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
0805（2012 公制）
供應(yīng)商器件封裝
0805（2012 公制）
大小/尺寸
0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.024"（0.60mm）
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

CIGT201206UM1R0MNE 技術(shù)參數(shù)

CIGT201206EH1R0MNE 功能描述:FIXED IND 1UH 1.8A 110MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:薄膜材料 - 磁芯:金屬合成物電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）供應(yīng)商器件封裝:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.024"（0.60mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT1608R6EH1R0MNC 功能描述:FIXED IND 1UH 1.7A 160MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:薄膜材料 - 磁芯:金屬合成物電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:160 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0603（1608 公制）供應(yīng)商器件封裝:0603（1608 Metric）大小/尺寸:0.063" 長 x 0.032" 寬（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.026"（0.65mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT160808XMR24MNC 功能描述:FIXED IND 240NH 4.9A 24 MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售類型:薄膜材料 - 磁芯:金屬合成物電感:240nH 容差:±20% 額定電流:4.9A 電流 - 飽和值:4.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:24 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0603（1608 公制）供應(yīng)商器件封裝:0603（1608 Metric）大小/尺寸:0.063" 長 x 0.032" 寬（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.032"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT160806UM1R0MNC 功能描述:FIXED IND 1UH 1A 125MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 零件狀態(tài):在售類型:薄膜材料 - 磁芯:金屬合成物電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:125 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0603（1608 公制）供應(yīng)商器件封裝:0603（1608 Metric）大小/尺寸:0.063" 長 x 0.032" 寬（1.60mm x 0.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.032"（0.80mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 CIG32W1R0MNE 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 60 mOhm 1210 (3225 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG32W 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:多層材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1210（3225 公制）大小/尺寸:0.126" 長 x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE CIGT201210UMR16MNE CIGT201210UMR24MNE CIGT201210UMR47MNE CIGT201210UMR47SNE CIGT201210UMR68MNE CIGT201608EHR47MNE CIGT201608EHR47SNE CIGT201608EM1R0MNE