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C3M0280090J

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

C3M0280090J
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
D2PAK/TO-263-7L
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

C3M0280090J
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

C3M0280090J
中山市翔美達電子科技有限公司
中山市翔美達電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
3000
CREE
SOP
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 900V 11A
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
900V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
360 毫歐 @ 7.5A，15V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
9.5nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
150pF @ 600V
功率 - 最大值
50W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK-7
標(biāo)準包裝
50

C3M0280090J 技術(shù)參數(shù)

C3M0280090D 功能描述:MOSFET N-CH 900V 11.5A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 7.5A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 600V 功率 - 最大值:54W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準包裝:30 C3M0120100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 封裝/外殼:TO-247-4 標(biāo)準包裝:30 C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標(biāo)準包裝:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準包裝:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準包裝:50 C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M C3PES-3406G C3PES-3406M