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C3M0120100K

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • C3M0120100K
    C3M0120100K

    C3M0120100K

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 1800

  • CREE

  • TO247-4

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • C3M0120100K
    C3M0120100K

    C3M0120100K

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • CREE

  • TO-247

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • C3M0120100K
    C3M0120100K

    C3M0120100K

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 6000

  • CREE

  • QFP

  • 22+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨

  • C3M0120100K
    C3M0120100K

    C3M0120100K

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 60

  • TO-247-4

  • Cree

  • 1840+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
C3M0120100K PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
  • 制造商
  • cree/wolfspeed
  • 系列
  • C3M?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 1000V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 22A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 15V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 21.5nC @ 15V
  • Vgs（最大值）
  • ±15V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 350pF @ 600V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 83W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 155 毫歐 @ 15A，15V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247-4L
  • 封裝/外殼
  • TO-247-4
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
C3M0120100K 技術(shù)參數(shù)
  • C3M0120100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiC（碳化硅結(jié)晶體管） 漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:350pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0120090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 C3M0120090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 22A 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0120090D 功能描述:900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:155 毫歐 @ 15A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17.3nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 600V 功率 - 最大值:97W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3M0075120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30.8A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:119W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 封裝/外殼:TO-247-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M C3PES-2618G C3PES-2618M C3PES-2636G C3PES-2636M
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