參數(shù)資料
型號： BZX85C110-TR
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 110 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
封裝： GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 219K
代理商： BZX85C110-TR
VISHAY
BZX85-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85607
Rev. 1.7, 14-Jun-04
www.vishay.com
7
Package Dimensions in mm (Inches)
18457
Figure 8. Breakdown Characteristics
Cathode Identification
2.6
(0.10) max.
0.86 (0.03)max.
4.1 (0.16) max.
26 (1.02) min.
94 9368
StandardGlass Case
54 B 2 DIN 41880
JEDEC DO 41
26 (1.02) min.
ISO Method E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZX85C130-TAP 132.5 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
BZX85C180-TAP 179.5 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
BZX85B91-TR 91 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
BZX85C10 10 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
BZX85C18R0 18 V, 1.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZX85C11-T 功能描述:穩(wěn)壓二極管 1.3W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85C11-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11 Volt 1.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX85C11-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 11V 5% 1.3W 2-Pin DO-41G T/R
BZX85C11-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 11 Volt 1.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
bzx85c11tr5k 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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