參數資料
型號: BZX84C6V8LT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA)
中文描述: 半導體(技術參數)
文件頁數: 8/10頁
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代理商: BZX84C6V8LT1
www.vishay.com
8
Document Number 85763
Rev. 1.7, 14-Jul-05
BZX84-V-Series
Vishay Semiconductors
Layout for R
Theta;JA
test
Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)
Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)
Figure 18. Breakdown Characteristics
18113
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
1 (0.4)
2 (0.8)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
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參數描述
BZX84C6V8LT1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX84C6V8LT3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX84C6V8LT3G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX84C6V8S-7 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 6.8V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX84C6V8S-7-F 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 6.8V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel