參數(shù)資料
型號: BZX79B22
廠商: GE Security, Inc.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: surface mount silicon Zener diodes
中文描述: 硅表面貼裝齊納二極管
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大?。?/td> 61K
代理商: BZX79B22
2002 Feb 27
7
Philips Semiconductors
Product specification
Voltage regulator diodes
BZX79 series
Fig.3
Maximum permissible non-repetitive peak
reverse power dissipation versus duration.
handbook, halfpage
MBG801
3
1
duration (ms)
PZSM
(W)
10
10
2
10
1
10
1
(1)
(2)
(1) T
j
= 25
°
C (prior to surge).
(2) T
j
= 150
°
C (prior to surge).
Fig.4
Typical forward current as a function of
forward voltage.
handbook, halfpage
0.6
1.0
100
0
200
MBG781
0.8
VF (V)
IF
(mA)
T
j
= 25
°
C.
Fig.5
Temperature coefficient as a function of
working current; typical values.
handbook, halfpage
0
60
2
3
1
MBG783
20
40
IZ (mA)
SZ
(mV/K)
4V3
3V9
3V6
3V0
2V4
2V7
3V3
BZX79-B/C2V4 to BZX79-B/C4V3.
T
j
= 25 to 150
°
C.
Fig.6
Temperature coefficient as a function of
working current; typical values.
handbook, halfpage
0
20
16
0
5
5
MBG782
4
8
12
IZ (mA)
SZ
(mV/K)
4V7
12
11
10
9V1
8V2
7V5
6V8
6V2
5V6
5V1
BZX79-B/C4V7 to BZX79-B/C12.
T
j
= 25 to 150
°
C.
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BZX79B22 A0G 功能描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):22V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15.4mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000
BZX79-B22 AMO 功能描述:穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 2 PCT AMMO LARGE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZX79B22 R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:DO-35;ZENER 500MW 22V
BZX79-B22 T/R 功能描述:穩(wěn)壓二極管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE AXIAL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel