參數(shù)資料
型號： BZX559V1
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： surface mount silicon Zener diodes
中文描述： 表面貼裝硅穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 69K
代理商： BZX559V1
BZX55B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
3 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85604
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
95 9611
0
5
10
15
0
100
200
300
400
500
20
R
t
l – Lead Length ( mm )
l
l
T
L
=constant
Figure 1. Thermal Resistance vs. Lead Length
0
40
80
120
160
0
100
300
400
500
600
P
t
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
200
95 9602
200
Figure 2. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
V
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9598
I
Z
=5mA
T
j
=25
°
C
Figure 3. Typical Change of Working Voltage
under Operating Conditions at T
amb
=25 C
–60
0
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
60
120
180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
Z
240
95 9599
V
Ztn
=V
Zt
/V
Z
(25
°
C)
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
–4
10
–4
/K
4
2
10
–4
/K
10
–4
/K
–2
10
–4
/K
0
Figure 4. Typical Change of Working Voltage vs.
Junction Temperature
0
10
20
30
–5
0
5
10
15
T
V
V
Z
– Z-Voltage ( V )
50
95 9600
40
Z
–
I
Z
=5mA
Figure 5. Temperature Coefficient of Vz vs. Z–Voltage
0
5
10
15
0
50
100
150
200
C
D
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9601
20
T
j
=25
°
C
V
R
=2V
Figure 6. Diode Capacitance vs. Z–Voltage
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PDF描述
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BZX55A12-TAP 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購買時間 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
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