參數(shù)資料
型號(hào)： BZX384B3V0-V-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： BZX384B3V0-V-GS08
BZX384-V-Series
Vishay Semiconductors
Document Number 85764
Rev. 1.7, 26-Aug-10
www.vishay.com
6
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Figure 13. Temperature Dependence of Zener Voltage vs.
Zener Voltage
Figure 14. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of
thermal equilibrium vs. Zener voltage
Figure 15. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of
thermal equilibrium vs. Zener voltage
18195
Δ
100
80
60
40
20
0
mV/°C
Δ
V
Z
T
j
0
20
40
80
60
100 V
V
Z at IZ = 2 mA
I
Z = 5 mA
18196
Δ
1.6
1.2
0.8
0.4
0
- 0.4
V
Z
1.4
1
0.6
0.2
- 0.2
1
23
4
5
23
4
5
10
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
I
Z = 5 mA
V
Z
27 V; I
Z = 2 mA
≥
V
Z = rzth x IZ
Δ
18160
Δ
5
4
3
2
1
0
V
Z
0
20
40
60
80
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
I
Z = 5 mA
I
Z = 2.5 mA
V
Z = rzth x IZ
Δ
Figure 16. Breakdown Characteristics
Figure 17. Breakdown Characteristics
Figure 18. Breakdown Characteristics
18111
Test
current
I
Z 5 mA
1
23
4
5
67
8
9
0
10 V
VZ
3.3
3.9 5.6
2.7
mA
50
40
30
20
10
0
lZ
Tj = 25 °C
8.2
6.8
4.7
18112
10
20
30
0
40 V
VZ
mA
30
20
10
0
lZ
33
Test
current
IZ 5 mA
Tj = 25 °C
10
12
15
18
22
27
36
18191
mA
10
8
6
4
2
0
l
z
10
20
30
40
50
60
70
8090
0
100 V
V
Z
2 mA
Test Current I
Z
T
j = 25 °C
43
51
47
39
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZX55B36 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
BZX55B9V1RR1 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
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BZX384-B3V3115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 300MW SOD
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