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參數(shù)資料
| 型號： | BZT55C43GS08 |
| 廠商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | SOD-80, QUADROMELF-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 153K |
| 代理商： | BZT55C43GS08 |
BZT55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 12-Mar-01
3 (6)
www.vishay.com
Document Number 85601
Characteristics (Tj = 25_C unless otherwise specified)
0
40
80
120
160
0
100
300
400
500
600
P
–
T
otal
Power
Dissipation
(
mW
)
tot
Tamb – Ambient Temperature ( °C )
200
95 9602
200
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
V
–
V
oltage
Change
(
mV
)
Z
VZ – Z-Voltage ( V )
25
95 9598
D
IZ=5mA
Tj =25°C
Figure 2. Typical Change of Working Voltage under
Operating Conditions at Tamb=25°C
–60
0
60
120
180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
–
Relative
V
oltage
Change
Ztn
Tj – Junction Temperature ( °C )
240
95 9599
VZtn=VZt/VZ(25°C)
TKVZ=10 10–4/K
8
10–4/K
–4
10–4/K
6
10–4/K
4
10–4/K
2
10–4/K
–2
10–4/K
0
Figure 3. Typical Change of Working Voltage vs.
Junction Temperature
010
20
30
–5
0
5
10
15
TK
–
T
emperature
Coef
ficient
of
V
(
10
/K
)
VZ
VZ – Z-Voltage ( V )
50
95 9600
40
Z
–4
IZ=5mA
Figure 4. Temperature Coefficient of Vz vs. Z–Voltage
0
5
10
15
0
50
100
150
200
C
–
Diode
Capacitance
(
pF
)
D
VZ – Z-Voltage ( V )
25
95 9601
20
Tj =25°C
VR =2V
Figure 5. Diode Capacitance vs. Z–Voltage
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I
–
Forward
Current
(
mA
)
F
VF – Forward Voltage ( V )
Tj =25°C
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZT55C7V5GS08 | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZT6.2 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT6.8 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT62 | surface mount silicon Zener diodes |
| BZT68 | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZT55C43-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 43 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT55C43-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 43 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT55C47 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 47 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT55C47 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:110 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 35V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 |
| BZT55C47 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 47V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R |
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