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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZT55B8V2 |
| 廠商： | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
| 英文描述： | 0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
| 中文描述： | 0.5瓦氣密玻璃封裝穩(wěn)壓器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | BZT55B8V2 |
Figure 1. Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Figure 2. Typical Change of Working Voltage under Operating
Conditions at T
amb
=25°C
Figure 3. Typical Change of Working Voltage vs. Junction
Temperature
0
120
160
0
100
300
400
500
600
P
t
w
e
W
)
T
am
b
- Am
b
ient Temperat
u
re (°C)
200
200
8
0
40
10
15
20
1
10
100
1000
V
Z
V
o
V
)
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
25
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5 mA
0
5
- 60
60
120
1
8
0
0.
8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
Z
v
e
V
o
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
240
0
V
Ztn
=
V
Zt
/
V
Z
(25 °C)
0
TK
V
Z
= 10 x 10
-4
/K
8
x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
- 2 x 10
-4
/K
Figure 4. Temperature Coefficient of Vz vs. Z-Voltage
Figure 5. Diode Capacitance vs. Z-Voltage
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
30
- 5
0
5
10
15
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
50
40
I
Z
= 5 mA
10
20
0
T
V
Z
u
r
V
Z
-
/
10
15
0
50
100
150
200
C
D
V
Z
- Z-
V
oltage (
V
)
25
20
T
j
= 25 °C
V
R
= 2
V
0
5
0
0.2
0.4
0.6
0.
8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
I
F
w
a
u
r
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
T
j
= 25 °C
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
(BZT55B SERIES)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BZT55B9V1 | 0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
| BZT55B10 | 0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
| BZT55B11 | 0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
| BZT55B12 | 0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
| BZT55B13 | 0.5 Watts Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZT55B8V2 L0G | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 |
| BZT55B8V2 L1 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 8.2V 2% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R |
| BZT55B8V2 L1G | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
| BZT55B8V2-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT55B8V2-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.2 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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