參數(shù)資料
型號(hào)： BZT55B5V1GS18
廠商： VISHAY TELEFUNKEN
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 5.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： SOD-80, QUADROMELF-2
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： BZT55B5V1GS18
BZT55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 12-Mar-01
4 (6)
www.vishay.com
Document Number 85509
04
8
12
16
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
I
–
Z-Current
(
mA
)
Z
VZ – Z-Voltage ( V )
Ptot=500mW
Tamb=25°C
Figure 7. Z–Current vs. Z–Voltage
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I
–
Z-Current
(
mA
)
Z
VZ – Z-Voltage ( V )
35
95 9607
Ptot=500mW
Tamb=25°C
Figure 8. Z–Current vs. Z–Voltage
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
r
–
Dif
ferential
Z-Resistance
(
)
Z
VZ – Z-Voltage ( V )
25
95 9606
W
Tj =25°C
IZ=1mA
5mA
10mA
Figure 9. Differential Z–Resistance vs. Z–Voltage
1
10
100
1000
Z
–
Thermal
Resistance
for
Pulse
Cond.
(K/W)
thp
tp – Pulse Length ( ms )
95 9603
10–1
100
101
102
tp/T=0.5
tp/T=0.2
tp/T=0.1
tp/T=0.05
tp/T=0.02
tp/T=0.01
Single Pulse
RthJA=300K/W
DT=Tjmax–Tamb
iZM=(–VZ+(VZ2+4rzjDT/Zthp)1/2)/(2rzj)
Figure 10. Thermal Response
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZT55B6V2GS18 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55B9V1GS18 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F16GS08 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F3V3GS18 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F5V6GS18 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZT55B5V1-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.1 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55B5V6 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.6 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55B5V6 L0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BZT55B5V6 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 5.6V 2% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
BZT55B5V6 L1G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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