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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZT52H-B16 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Single Zener diodes in a SOD123F package |
| 中文描述： | 16 V, 0.375 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | BZT52H-B16 |
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BZT52H_SER
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 3 — 7 December 2010
4 of 13
NXP Semiconductors
BZT52H series
Single Zener diodes in a SOD123F package
7. Characteristics
Table 7.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
V
F
forward voltage
[1]
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
Characteristics
Conditions
I
F
= 10 mA
Min
Typ
-
Max
0.9
Unit
V
[1]
-
Table 8.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
BZT52H
-xxx
voltage
V
Z
(V);
I
Z
= 5 mA
Min
2V4
B
2.35
C
2.2
2V7
B
2.65
C
2.5
3V0
B
2.94
C
2.8
3V3
B
3.23
C
3.1
3V6
B
3.53
C
3.4
3V9
B
3.82
C
3.7
4V3
B
4.21
C
4.0
4V7
B
4.61
C
4.4
5V1
B
5.0
C
4.8
5V6
B
5.49
C
5.2
6V2
B
6.08
C
5.8
6V8
B
6.66
C
6.4
7V5
B
7.35
C
7.0
8V2
B
8.04
C
7.7
Characteristics per type; BZT52H-B2V4 to BZT52H-C24
Sel
Working
Maximum differential
resistance r
dif
(
Ω
)
Reverse
current I
R
(
μ
A)
Temperature
coefficient
S
Z
(mV/K);
I
Z
= 5 mA
Min
3.5
Diode
capacitance
C
d
(pF)
[1]
Non-repetitive
peak reverse
current
I
ZSM
(A)
[2]
Max
6.0
Max
2.45
2.6
2.75
2.9
3.06
3.2
3.37
3.5
3.67
3.8
3.98
4.1
4.39
4.6
4.79
5.0
5.2
5.4
5.71
6.0
6.32
6.6
6.94
7.2
7.65
7.9
8.36
8.7
I
Z
= 1 mA
400
I
Z
= 5 mA
85
Max
50
V
R
(V)
1
Max
0.0
Max
450
500
83
20
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
10
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
5
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
95
3
1
3.5
0.0
450
6.0
500
78
3
2
3.5
0.2
300
6.0
480
60
2
2
2.7
1.2
300
6.0
400
40
1
2
2.0
2.5
300
6.0
150
10
3
4
0.4
3.7
200
6.0
80
8
2
4
1.2
4.5
200
6.0
80
10
1
5
2.5
5.3
150
4.0
80
10
0.7
5
3.2
6.2
150
4.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZT52H-B18 | Single Zener diodes in a SOD123F package |
| BZT52H-B20 | Single Zener diodes in a SOD123F package |
| BZT52H-B22 | Single Zener diodes in a SOD123F package |
| BZT52H-B24 | Single Zener diodes in a SOD123F package |
| BZT52H-B27 | Single Zener diodes in a SOD123F package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZT52H-B16,115 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 16.3V 11.2uA 20Ohm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT52H-B18 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 0.375W 18V SOD123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 0.375W, 18V, SOD123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 0.375W, 18V, SOD123F; Zener Voltage Vz Typ:18V; Power Dissipation Pd:375mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C; Diode Case Style:SOD-123F; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| BZT52H-B18,115 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 18.4V 12.6uA 20Ohm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT52H-B20 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 0.375W 20V SOD123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 0.375W, 20V, SOD123F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 0.375W, 20V, SOD123F; Zener Voltage Vz Typ:20V; Power Dissipation Pd:375mW; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C; Diode Case Style:SOD-123F; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| BZT52H-B20,115 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20.4V 14uA 20Ohm RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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