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參數(shù)資料
| 型號： | BZT52C30V |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 331K |
| 代理商： | BZT52C30V |
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
SOD-123
PLASTIC PACKAGE
Marking:
As Indicated below with Cathode Band
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Forward Voltage Drop @ I
F
10mA
Power Dissipation @ 25oC
* Mounted on 5.0mm
2
( 0.13mm thick) land areas
** Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute
maximum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25°C unless specified otherwise) V
F
@ 10mA <0.9V
I
R
@
(
m
A)
max
5.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
(
W
)
max
78
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
50
50
55
80
80
80
80
90
90
(mA)
(
W
)
max
500
480
400
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
250
250
250
300
(mA)
max
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.8
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.0
7.5
8.5
9.0
10
11
12
14
15
17
18
20
22.5
25
27
29
BZT52C4V7_39V Rev180105E
UNIT
V
mW
VALUE
0.9
410
WH
WI
WK
WL
WM
WN
Operating Junction and Storage Temperature
Range
- 55 to +150
WF
WG
Z
ZK @
I
ZK
W8
W9
WA
WB
WC
WD
WE
V
Z
@ I
ZT
(V)
Marking
Code
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
Zener Voltage
Z
ZT @
I
ZT
min
SYMBOL
V
F
*P
D
**I
FSM
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single
Half Sine-WaveSuperimposed on Rated Load
T
j
A
Zener Impedance
Reverse Leakage
Current
°C
2.0
BZT52C 4V7
BZT52C 5V1
BZT52C 5V6
BZT52C 6V2
BZT52C 6V8
BZT52C 7V5
BZT52C 8V2
BZT52C 9V1
BZT52C 10
BZT52C 11
BZT52C 12
BZT52C 13
BZT52C 15
BZT52C 16
BZT52C 18
BZT52C 20
BZT52C 22
BZT52C 24
BZT52C 27
BZT52C 30
BZT52C 33
BZT52C 36
BZT52C 39
Device #
34.20
37.05
WO
WP
WR
WS
WT
WU
WW
WX
BZT52C 4V7 to 39V
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 4
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZT52C33V | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BZT52C36V | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BZT52C39V | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BZT52C4V7V | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BZT52C5V1V | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZT52C30-V | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes |
| BZT52C30-V-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 0.41W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT52C30-V-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 0.41W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZT52C30W | 制造商:DAYA 制造商全稱:DAYA 功能描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES |
| BZT52C30WS | 制造商:TAITRON 制造商全稱:TAITRON Components Incorporated 功能描述:200mW Two Terminals SMD Zener Diodes |
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