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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZT52-C6V8 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Triple 3-Input Positive-NAND Gate 14-TSSOP -40 to 125 |
| 中文描述： | 穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 386K |
| 代理商： | BZT52-C6V8 |
SYMBOL
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
Thermal Resistance
Junction to Ambient Air
R
Θ
JA
–
–
300
(2)
°C/W
NOTES:
(1) Diode on Ceramic Substrate 0.7mm; 2.5mm
2
area
(2) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
The Zener voltages are graded according to the international
E 24 standard. Standard Zener voltage tolerance
is ±5%. Replace suffix “C” with “B” for ±2% toler-
ance. Other tolerances and other Zener voltages
are available upon request.
These diodes are also available in other case styles and other
configurations including: the SOT-23 case with type designation
BZX84 series, the dual zener diode common anode configuration
in the SOT-23 case with type designation AZ23 series and the
dual zener diode common cathode configuration in the SOT-23
case with type designation DZ23 series.
MECHANICAL DATA
Case:
SOD-123 Plastic Case
Weight:
approx. 0.01 g
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current (see Table “Characteristics”)
Power Dissipation at Tamb = 25°C
P
tot
410
(1)
mW
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
S
– 65 to +150
°C
BZT52-C2V4 THRU BZT52-C75
ZENER DIODES
12/10/98
.022 (0.55)
m
.
.
.067 (1.70)
.055 (1.40)
m
min. .010 (0.25)
Cathode Mark
m
Top View
.
.
SOD-123
Dimensions are in inches and (millimeters)
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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