參數(shù)資料
型號： BZT03D
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon Z-Diode and Transient Voltage Suppressor(硅齊納二極管和瞬變電壓抑制器)
中文描述： 硅穩(wěn)壓二極管和暫態(tài)電壓抑制器（硅齊納二極管和瞬變電壓抑制器）
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： BZT03D
BZT03D...
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
4 (5)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85600
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
25
50
3
2
50
7
94 9086a
Figure 1. Epoxy glass hard tissue, board
thickness 1.5 mm, R
thJA
100 K/W
0
0
1
2
3
4
94 9584
40
80
120
160
P
t
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
200
l
l
T
L
=constant
l=10mm
see Fig.1
15mm
20mm
Figure 2. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
0.5
1.0
1.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
2.0
94 9585
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
2.5
T
j
=25
°
C
Figure 3. Forward Current vs. Forward Voltage
0.01
0.1
1
10
10
100
1000
10000
P
Z
t
p
– Pulse Length ( ms )
100
94 9586
D
T
j
=25
°
C
Figure 4. Non Repetitive Surge Power Dissipation vs.
Pulse Length
Dimensions in mm
Cathode Identification
3.6 max.
0.82 max.
4.2 max.
Sintered Glass Case
SOD 57
Weight max. 0.5g
technical drawings
according to DIN
specifications
94 9538
26 min.
26 min.
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PDF描述
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BZT03D10-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10 Volt 600W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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