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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZM55C |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(穩(wěn)壓應(yīng)用的低噪聲外延平面型齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面穩(wěn)壓二極管（穩(wěn)壓應(yīng)用的低噪聲外延平面型齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | BZM55C |
BZM55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 06-Dec-00
4 (6)
www.vishay.com
Document Number 85598
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1.0
95 9605
I
F
V
F
– Forward Voltage ( V )
T
j
=25
°
C
Figure 6. Forward Current vs. Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
I
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
Figure 7. Z–Current vs. Z–Voltage
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
35
95 9607
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
Figure 8. Z–Current vs. Z–Voltage
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
r
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9606
T
j
=25
°
C
I
Z
=1mA
5mA
10mA
Figure 9. Differential Z–Resistance vs. Z–Voltage
1
10
100
1000
Z
t
t
p
– Pulse Length ( ms )
95 9603
10
–1
10
0
10
1
10
2
t
p
/T=0.5
t
p
/T=0.2
t
p
/T=0.1
t
p
/T=0.05
t
p
/T=0.02
t
p
/T=0.01
Single Pulse
R
thJA
=300K/W
T=T
jmax
–T
amb
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
T/Z
thp
)
1/2
)/(2r
zj
)
Figure 10. Thermal Response
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZM55C | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55C51 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55C30 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55C11 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55C12 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZM55C_09 | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Surface Mount Zener Diodes |
| BZM55C10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55-C10 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT ZENER DIODES |
| BZM55C10 _R1 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BZM55C10_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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