參數(shù)資料
型號(hào)： BZM55C3V6V
廠商： Continental Device India Limited
英文描述： SILIICON PLANAR ZENER DIODES
中文描述： SILIICON平面穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 197K
代理商： BZM55C3V6V
SILIICON PLANAR ZENER DIODES
BZM55C 2V4 - 75V
LS-31 (MICRO-MELF)
GLASS PACKAGE
MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION TEST CONDITIONS
Power Dissipation R
th (j-a)
<300K/W
SYMBOL
P
D
T
j
T
stg
THERMAL RESISTANCE
Junction to Ambient in free air
Junction to tie point
R
th (j-a)
*R
th (j-L)
*35
m
m copper clad, 0.9mm
2
copper area per electrode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
j
=25°C unless specified otherwise)
Forward Voltage at I
F
=200mA
V
F
Device #
V
ZT
r
ZT
I
ZT
r
ZK
at
I
R
T
a
at
V
R
**at I
ZT
**at I
ZT
I
ZK
25°C
max
(
m
A)
100
10
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
150°C
max
(
m
A)
50
50
40
40
40
40
20
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
min
(V)
2.28
2.50
2.80
3.10
3.40
3.70
4.00
4.40
4.80
5.20
5.80
6.40
7.00
7.70
8.50
9.40
10.40
11.40
12.40
13.80
max
(V)
2.56
2.90
3.20
3.50
3.80
4.10
4.60
5.00
5.40
6.00
6.60
7.20
7.90
8.70
9.60
10.60
11.60
12.70
14.10
15.60
max
(
W
)
85
85
90
90
90
90
90
80
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
max
(
W
)
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
(mA)
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
(mA)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
BZM55C2V4
BZM55C2V7
BZM55C3V0
BZM55C3V3
BZM55C3V6
BZM55C3V9
BZM55C4V3
BZM55C4V7
BZM55C5V1
BZM55C5V6
BZM55C6V2
BZM55C6V8
BZM55C7V5
BZM55C8V2
BZM55C9V1
BZM55C10
BZM55C11
BZM55C12
BZM55C13
BZM55C15
** t
p
/T <100ms
BZM55C2V4_75V Rev061005E
500
300
Zener Voltage
0.03 ~ 0.07
0.03 ~ 0.08
0.03 ~ 0.11
0.03 ~ 0.11
0.03 ~ 0.11
of
mW
°C
°C
VALUE
500
175
- 65 to +175
UNIT
1.5
V
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Temp. Coeff
0.03 ~ 0.11
(%/K)
- 0.05 ~ + 0.02
- 0.02 ~ + 0.02
- 0.05 ~ + 0.05
0.03 ~ 0.06
0.03 ~ 0.07
0.03 ~ 0.09
0.03 ~ 0.10
K/W
K/W
- 0.09 ~ - 0.06
- 0.09 ~ - 0.06
- 0.08 ~ - 0.05
- 0.08 ~ - 0.05
- 0.08 ~ - 0.05
- 0.08 ~ - 0.05
- 0.06 ~ - 0.03
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 4
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZM55C3V9V SILIICON PLANAR ZENER DIODES
BZM55C43V SILIICON PLANAR ZENER DIODES
BZM55C47V SILIICON PLANAR ZENER DIODES
BZM55C4V3V SILIICON PLANAR ZENER DIODES
BZM55C4V7V SILIICON PLANAR ZENER DIODES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZM55C3V9 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
BZM55-C3V9 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT ZENER DIODES
BZM55C3V9 _R1 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BZM55C3V9_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BZM55C3V9-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.9 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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