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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BZM55B30 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | BZM55B30 |
BZM55B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
4 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85597
0
4
8
12
16
20
95 9604
0
20
40
60
80
100
I
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
Z–Current vs. Z–Voltage
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
I
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
Z–Current vs. Z–Voltage
35
95 9607
P
tot
=500mW
T
amb
=25
°
C
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
r
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9606
T
j
=25
°
C
I
Z
=1mA
5mA
10mA
Differential Z–Resistance vs. Z–Voltage
1
10
100
1000
Z
t
t
p
– Pulse Length ( ms )
95 9603
10
–1
10
0
10
1
10
2
t
p
/T=0.5
t
p
/T=0.2
t
p
/T=0.1
t
p
/T=0.05
t
p
/T=0.02
t
p
/T=0.01
Single Pulse
R
thJA
=300K/W
T=T
jmax
–T
amb
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
T/Z
thp
)
1/2
)/(2r
zj
)
Thermal Response
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZM55B33 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55B36 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55B39 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55B3V6 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZM55B3V9 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZM55-B30 | 制造商:GOOD-ARK 制造商全稱:GOOD-ARK Electronics 功能描述:Zener Diodes |
| BZM55B30 _R1 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BZM55B30_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BZM55B30-TR | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| BZM55B30-TR3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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