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參數(shù)資料
| 型號： | BZD27C110P |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 表面貼裝硅穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 238K |
| 代理商： | BZD27C110P |
BZD27C3V6P to BZD27C200P
Document Number 85810
Rev. 1.8, 13-Apr-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Electrical Characteristics
When used as protection diodes (T
J
= 25 °C unless otherwise noted)
Partnumber
Rev.
Breakdown
Voltage
V
(BR)R
at
I
test
V
min
BZD27C7V5P
7
BZD27C8V2P
7.7
BZD27C9V1P
8.5
BZD27C10P
9.4
BZD27C11P
10.4
BZD27C12P
11.4
BZD27C13P
12.4
BZD27C15P
13.8
BZD27C16P
15.3
BZD27C18P
16.8
BZD27C20P
18.8
BZD27C22P
20.8
BZD27C24P
22.8
BZD27C27P
25.1
BZD27C30P
28
BZD27C33P
31
BZD27C36P
34
BZD27C39P
37
BZD27C43P
40
BZD27C47P
44
BZD27C51P
48
BZD27C56P
52
BZD27C62P
58
BZD27C68P
64
BZD27C75P
70
BZD27C82P
77
BZD27C91P
85
BZD27C100P
94
BZD27C110P
104
BZD27C120P
114
BZD27C130P
124
BZD27C150P
138
BZD27C160P
153
BZD27C180P
168
BZD27C200P
188
1)
Non-repetitive peak reverse current in accordance with "IEC 60-1, Section 8" (10/1000
μ
s pulse); see Fig. 5.
Test
Current
Temperature Coefficient
Clamping Voltage
Reverse Current at
Stand-Off Voltage
I
test
α
Z
@ I
test
V
C
at I
RSM1)
I
R
at V
WM
mA
%/°C
V
A
μ
A
max
1500
1200
100
20
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
min
0
0.03
0.03
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.06
0.07
0.07
0.07
0.07
0.08
0.08
0.08
0.08
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
0.09
max
0.07
0.08
0.08
0.09
0.1
0.1
0.1
0.1
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0.12
0.12
0.12
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
0.13
max
11.3
12.3
13.3
14.8
15.7
17
18.9
20.9
22.9
25.6
28.4
31
33.8
38.1
42.2
46.2
50.1
54.1
60.7
65.5
70.8
78.6
86.5
94.4
103.5
114
126
139
139
152
169
187
205
229
254
100
100
50
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
13.3
12.2
11.3
10.1
9.6
8.8
7.9
7.2
6.6
5.9
5.3
4.8
4.4
3.9
3.6
3.2
3
2.8
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.6
1.5
1.3
1.2
1.1
0.72
0.65
0.59
0.53
0.48
0.43
0.39
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZD27C11P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C91P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C9V1P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C3V6P | surface mount silicon Zener diodes |
| BZD27C3V9P | surface mount silicon Zener diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZD27-C110P | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Zener Diodes |
| BZD27C110P/G2 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 110V 2.3 W |
| BZD27C110P-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: |
| BZD27C110P-E3-18 | 功能描述:Zener Diode 110V 800mW Surface Mount DO-219AB (SMF) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:110V 容差:- 功率 - 最大值:800mW 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 82V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-219AB 供應(yīng)商器件封裝:DO-219AB（SMF） 標準包裝:10,000 |
| BZD27C110P-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 110 Volt 0.8 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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