- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄385209 > BYZ50K27 (DIOTEC SEMICONDUCTOR AG) Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BYZ50K27 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| 中文描述： | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, METAL, PRESSFIT-1 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | BYZ50K27 |
1
04.09.2002
BYZ 50A22 ... BYZ 50A47
BYZ 50K22 ... BYZ 50K47
Silicon Protectifiers
with TVS characteristics
High-temperature diodes
Silizium Schutzgleichrichter
mit Begrenzereigenschaften
Hochtemperaturdioden
Nominal current – Nennstrom
50 A
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruch-Spannung
19.8 ... 51.7 V
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpregehuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx. – Gewicht ca.
10 g
Casting compound has UL classification 94V-0
Vergumasse UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Grenzwerte
Type / Typ
Wire to / Draht an
Anode Cathode
BYZ 50A22
BYZ 50A27
BYZ 50A33
BYZ 50A39
BYZ 50A47
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
I
T
= 100 mA
V
BRmin
[V] V
BRmax
19.8
24.3
29.7
35.1
42.3
Reverse voltage
Sperrspannung
I
R
= 5 A
V
R
[V]
> 17.8
> 21.8
> 26.8
> 31.6
> 38.1
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei I
PP
, t
p
= 1m s
V
C
[V] I
PP
[A]
31,9
39,1
47,7
56,4
67,8
BYZ 50K22
BYZ 50K27
BYZ 50K33
BYZ 50K39
BYZ 50K47
24.2
29.7
36.3
42.9
51.7
242
192
160
134
112
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T
C
= 150 C
I
FAV
50 A
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave
Stostrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle
T
A
= 25 C
I
FSM
400 / 450 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms
T
A
= 25 C
i
2
t
800 A
2
s
Forward voltage – Durchlaspannung
T
j
= 25 C
I
F
= 50 A
V
F
< 1.1 V
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+215 C
– 50…+215 C
±01
13
5
±
1
±
1.3
±0.1
11
R
k
12.75
2
±
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYZ50K33 | Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| BYZ50K39 | Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| BYZ50K47 | Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| BYZ50A22R | Precision 1 A regulators |
| BYZ50A33R | Precision 1 A regulators |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYZ50K33 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱(chēng):Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| BYZ50K37 | 制造商:SEMIKRON 制造商全稱(chēng):Semikron International 功能描述:Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| BYZ50K39 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱(chēng):Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes |
| BYZ50K47 | 制造商:DIOTEC 制造商全稱(chēng):Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes |
| BZ000057VZ20136AL1 | 功能描述:200pF 7500V（7.5kV） 陶瓷電容器 制造商:vishay beyschlag 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 電容:200pF 容差:±10% 電壓 - 額定:7500V（7.5kV） 溫度系數(shù):- 安裝類(lèi)型:- 工作溫度:- 應(yīng)用:通用 等級(jí):- 封裝/外殼:- 大小/尺寸:- 高度 - 安裝（最大值）:- 厚度（最大值）:- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。