參數(shù)資料
型號(hào)： BYW51R-200
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
中文描述： 高效快速恢復(fù)整流二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： BYW51R-200
BYW51/F/G/FP/R-200
3/9
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
20
40
60
80
100
120
IM(A)
P=5W
P=15W
P=10W
δ
T
δ
=tp/T
tp
Fig.2:
Peakcurrentversusformfactor(perdiode).
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 3-1:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
= 0.5, D
2
PAK, TO-220AB).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
t(s)
IM(A)
Tc=25°C
Tc=100°C
Tc=75°C
I
M
t
δ
=0.5
Fig.4-1:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versus overload duration (D
2
PAK, TO-220AB)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
2
4
6
8
10
12
14
IF(av) (A)
PF(av)(W)
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
δ
= 1
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
t(s)
IM(A)
Tc=25°C
Tc=100°C
Tc=75°C
I
M
t
δ
=0.5
Fig.4-2:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrent
versus overload duration (ISOWATT220AB).
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
ISOWATT220AB
TO-220FP
T
δ
=tp/T
tp
Fig.
ambient temperature (
δ
= 0.5, ISOWATT220AB,
TO-220FPAB).
3-2:
Average
forward
current
versus
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PDF描述
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