參數(shù)資料
型號： BYV42G-200
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
中文描述： 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
封裝： PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： BYV42G-200
BYV42G-200
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 11 January 2011
3 of 11
NXP Semiconductors
BYV42G-200
Dual ultrafast power diode
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O(AV)
Parameter
repetitive peak reverse voltage
crest working reverse voltage
reverse voltage
average output current
Conditions
Min
-
-
-
-
Max
200
200
200
30
Unit
V
V
V
A
DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5 ; T
mb
≤
104 °C;
both diodes conducting; see
Figure 1
;
see
Figure 2
δ
= 0.5 ; t
p
= 25 μs; T
mb
≤
104 °C; per diode
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C;
per diode
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C;
per diode
δ
= 0.001 ; t
p
= 2 μs
t
p
= 100 μs
I
FRM
I
FSM
repetitive peak forward current
non-repetitive peak forward
current
-
-
30
150
A
A
-
160
A
I
RRM
I
RSM
repetitive peak reverse current
non-repetitive peak reverse
current
storage temperature
junction temperature
electrostatic discharge voltage
-
-
0.2
0.2
A
A
T
stg
T
j
V
ESD
-40
-
-
150
150
8
°C
°C
kV
HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k
; all pins
Fig 1.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; square waveform;
maximum values
Fig 2.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; sinusoidal waveform;
maximum values
003aac342
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
δ
= 1
0.5
0.2
0.1
003aac343
0
5
10
15
0
5
10
15
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
a = 1.57
1.9
2.2
2.8
4.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV44-500 Dual ultrafast power diode
BYV79E-200 Ultrafast power diode
BYV95 Miniature Glass Passivated Fast Switching Rectifier(微型鈍化玻璃快速轉(zhuǎn)換整流器)
BYV96 Miniature Glass Passivated Fast Switching Rectifier(微型鈍化玻璃快速轉(zhuǎn)換整流器)
BYV96E Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1213; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/4 Type E RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BYV42G-200,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) DUAL ULTRAFAST PWR DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
BYV430J-600PQ 功能描述:DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:2V @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:90ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480
BYV430K-300PQ 功能描述:DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:55ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 300V 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:450
BYV430W-300PQ 功能描述:DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247-3 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 30A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 300V 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:300
BYV44 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual rectifier diodes ultrafast
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*