參數(shù)資料
型號(hào)： BYV34G-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
中文描述： 20 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, LOW PROFILE TO-220AB, I2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 61K
代理商： BYV34G-600
BYV34G-600_1
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 25 February 2009
3 of 9
NXP Semiconductors
BYV34G-600
Dual rectifier diode, ultrafast
5.
Thermal characteristics
Table 4.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
mounting base
Conditions
with heatsink compound
per diode; see
Figure 1
with heatsink compound;
both diodes conducting
Min
-
Typ
-
Max
2.4
Unit
K/W
-
-
1.6
K/W
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient in free air
-
60
-
K/W
Fig 1.
Transient thermal impedance from junction to mounting base per diode as a function of pulse width
001aag912
10
1
10
2
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
3
t
p
(s)
10
6
1
10
10
1
10
2
10
5
10
3
10
4
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
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