參數(shù)資料
型號(hào)： BYV34-600
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dual ultrafast power diode
封裝： BYV34-600<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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代理商： BYV34-600
BYV34-600_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 October 2007
3 of 9
NXP Semiconductors
BYV34-600
Dual rectifier diode ultrafast
6.
Characteristics
Fig 1.
Transient thermal impedance from junction to mounting base per diode as a function of pulse width
001aag912
10
1
10
2
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
3
t
p
(s)
10
6
1
10
10
1
10
2
10
5
10
3
10
4
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
Table 5.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Static characteristics
V
F
forward voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= 10 A; T
j
= 150
°
C; see
Figure 2
I
F
= 20 A; see
Figure 2
V
R
= 600 V
V
R
= 600 V; T
j
= 100
°
C
-
-
-
-
0.92
1.07
10
0.2
1.16
1.48
50
0.6
V
V
μ
A
mA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 2 A to V
R
≥
30 V; dI
F
/dt = 20 A/
μ
s;
see
Figure 3
I
F
= 1 A to V
R
≥
30 V;
dI
F
/dt = 100 A/
μ
s; see
Figure 3
I
F
= 10 A to V
R
≥
30 V;
dI
F
/dt = 50 A/
μ
s; T
j
= 100
°
C;
see
Figure 3
I
F
= 10 A; dI
F
/dt = 10 A/
μ
s;
see
Figure 4
-
40
70
nC
t
rr
reverse recovery time
-
50
60
ns
I
RM
peak reverse recovery
current
-
3
5
A
V
FR
forward recovery
voltage
-
3.2
-
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BYV34G-600 Dual ultrafast power diode
BYV34X-600 Dual ultrafast power diode
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參數(shù)描述
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BYV34G-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual rectifier diode, ultrafast
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BYV34SERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual rectifier diodes ultrafast
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