- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385207 > BYV32E-200 (NXP Semiconductors N.V.) Dual ultrafast power diode PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BYV32E-200 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Dual ultrafast power diode |
| 封裝： | BYV32E-200<SOT78 (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78.html<1<week 1, 2005,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 136K |
| 代理商： | BYV32E-200 |
BYV32E-200_4
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 27 February 2009
3 of 9
NXP Semiconductors
BYV32E-200
Dual rugged ultrafast rectifier diode, 20 A, 200 V
4.
Limiting values
Table 4.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Limiting values
Symbol
V
RRM
Parameter
repetitive peak reverse
voltage
crest working reverse
voltage
reverse voltage
average output current
Conditions
Min
-
Max
200
Unit
V
V
RWM
-
200
V
V
R
I
O(AV)
DC
square-wave pulse;
δ
= 0.5; T
mb
≤
115 °C; both
diodes conducting; see
Figure 1
; see
Figure 2
δ
= 0.5; t
p
= 25 μs; T
mb
≤
115 °C; per diode
-
-
200
20
V
A
I
FRM
repetitive peak forward
current
non-repetitive peak
forward current
-
20
A
I
FSM
t
p
= 8.3 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C; per
diode
t
p
= 10 ms; sine-wave pulse; T
j(init)
= 25 °C; per
diode
δ
= 0.001; t
p
= 2 μs
-
137
A
-
125
A
I
RRM
repetitive peak reverse
current
non-repetitive peak
reverse current
storage temperature
junction temperature
electrostatic discharge
voltage
-
0.2
A
I
RSM
t
p
= 100 μs
-
0.2
A
T
stg
T
j
V
ESD
-40
-
-
150
150
8
°C
°C
kV
HBM; C = 250 pF; R = 1.5 k
; all pins
Fig 1.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; sinusoidal waveform;
maximum values
Fig 2.
Forward power dissipation as a function of
average forward current; square waveform;
maximum values
0
12
8
4
003aac978
4
8
12
0
1.9
a = 1.57
2.2
2.8
4.0
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
0
15
10
5
003aac979
5
10
15
0
0.5
0.2
0.1
I
F(AV)
(A)
P
tot
(W)
δ
= 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV32EB-200 | Dual ultrafast power diode |
| BYV32G-200 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34-400 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34-600 | Dual ultrafast power diode |
| BYV34G-600 | Dual ultrafast power diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYV32E-200,127 | 功能描述:整流器 FAST DUAL 20A 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV32E-200 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRA FAST 2X10A |
| BYV32E-200127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier Array |
| BYV32E-200PQ | 功能描述:DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:850mV @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BYV32EB | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast, rugged |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。