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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BYV29X-600 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Ultrafast power diode |
| 封裝： | BYV29X-600<SOD113 (SOD113)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD113.html<1<week 32, 2004,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | BYV29X-600 |
BYV29X-600_2
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 4 September 2007
4 of 10
NXP Semiconductors
BYV29X-600
Rectifier diode ultrafast
7.
Characteristics
Table 6.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Static characteristics
V
F
forward voltage
Characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
F
= 8 A; T
j
= 150
°
C; see
Figure 2
I
F
= 8 A; see
Figure 2
I
F
= 20 A; see
Figure 2
V
R
= 600 V
V
R
= 600 V; T
j
= 100
°
C
-
-
-
-
-
0.97
1.12
1.31
2
0.1
1.11
1.26
1.45
50
0.35
V
V
V
μ
A
mA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 2 A to V
≥
30 V; dI
F
/dt = 20 A/
μ
s;
see
Figure 3
I
F
= 1 A to V
R
≥
30 V;
dI
F
/dt = 100 A/
μ
s; see
Figure 3
I
F
= 10 A to V
R
≥
30 V;
dI
F
/dt = 50 A/
μ
s; T
j
= 100
°
C;
see
Figure 3
I
F
= 10 A; dI
F
/dt = 10 A/
μ
s;
see
Figure 4
-
40
70
nC
t
rr
reverse recovery time
-
50
60
ns
I
RM
peak reverse recovery
current
-
3
5.5
A
V
FR
forward recovery
voltage
-
3.2
-
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV3250XM | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
| BYV32-50-XTM | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
| BYV32-150-XTM | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
| BYV32-200-XTM | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
| BYV32-100-XTM | HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYV29X-600,127 | 功能描述:整流器 EPI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV29X-600.127 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diode ultrafast |
| BYV29X-600AQ | 功能描述:DIODE GEN PURP TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BYV29X-600PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:75ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| BYV29XSERIES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast |
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