參數(shù)資料
型號： BYV29FD-600
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Enhanced ultrafast power diode
中文描述： 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 225K
代理商： BYV29FD-600
BYV29FD-600
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 7 March 2011
5 of 12
NXP Semiconductors
BYV29FD-600
Enhanced ultrafast power diode
6.
Characteristics
Table 6.
Symbol
Static characteristics
V
F
Characteristics
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
forward voltage
I
F
= 8 A; T
j
= 25 °C; see
Figure 5
I
F
= 8 A; T
j
= 150 °C; see
Figure 5
V
R
= 600 V; T
j
= 100 °C
V
R
= 600 V; T
j
= 25 °C
-
-
-
-
1.45
1.25
-
-
1.9
1.7
1.5
50
V
V
mA
μA
I
R
reverse current
Dynamic characteristics
Q
r
recovered charge
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
see
Figure 6
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
T
j
= 25 °C; see
Figure 6
I
F
= 1 A; V
R
= 30 V; dI
F
/dt = 100 A/μs;
see
Figure 6
I
F
= 1 A; dI
F
/dt = 100 A/μs; see
Figure 7
-
13
-
nC
t
rr
reverse recovery time
-
17.5
35
ns
I
RM
peak reverse recovery
current
forward recovery voltage
-
1.5
-
A
V
FR
-
3.2
-
V
Fig 5.
Forward current as a function of forward
voltage
Fig 6.
Reverse recovery definitions; ramp recovery
003aad323
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
V
F
(V)
I
F
(A)
(1)
(2)
(3)
003aac562
t
rr
time
100 %
25 %
I
F
dl
F
dt
I
R
I
RM
Q
r
相關PDF資料
PDF描述
BYV29FX-600 Enhanced ultrafast power diode
BYV29G-600 Ultrafast power diode
BYV29X-500 Ultrafast power diode
BYV29X-600 Ultrafast power diode
BYV3250XM HERMETICALLY SEALED DUAL FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER FOR HI.REL APPLICATIONS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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BYV29FG-600 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Power Product Selection Guide
BYV29FSERIES 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Rectifier diodes ultrafast
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BYV29FX-600,127 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 DIODE RECT UFAST 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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