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參數(shù)資料
| 型號： | BYV29-600 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Ultrafast power diode |
| 封裝： | BYV29-600<SOD59 (TO-220AC)|<<http://www.nxp.com/packages/SOD59.html<1<,; |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BYV29-600 |
BYV29-600_2
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 24 October 2007
2 of 8
NXP Semiconductors
BYV29-600
Rectifier diode ultrafast
3.
Ordering information
4.
Limiting values
5.
Thermal characteristics
Table 2.
Type number Package
Ordering information
Name
TO-220AC plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 2-lead TO-220AC
Description
Version
SOD59
BYV29-600
Table 3.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
RRM
repetitive peak reverse voltage
V
RWM
crest working reverse voltage
V
R
reverse voltage
I
F(AV)
average forward current
I
FRM
repetitive peak forward current
I
FSM
non-repetitive peak forward current
Limiting values
Conditions
Min
-
-
-
-
-
-
-
40
-
Max
600
600
600
9
18
70
77
+150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
°
C
°
C
square waveform;
δ
= 1.0; T
mb
≤
100
°
C
square waveform;
δ
= 0.5; T
mb
≤
120
°
C
square waveform;
δ
= 0.5; T
mb
≤
120
°
C
t = 10 ms; sinusoidal waveform
t = 8.3 ms; sinusoidal waveform
T
stg
T
j
storage temperature
junction temperature
Table 4.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
mounting base
thermal resistance from junction to ambient in free air
Conditions
with heatsink compound;
see
Figure 1
Min
-
Typ
-
Max
2.5
Unit
K/W
R
th(j-a)
-
60
-
K/W
Fig 1.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse width
001aag913
1
10
1
10
Z
th(j-mb)
(K/W)
10
3
10
2
t
p
(s)
10
6
10
1
10
1
10
5
10
3
10
2
10
4
t
p
t
p
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYV29B-500 | Ultrafast power diode |
| BYV29B-600 | Ultrafast power diode |
| BYV29F-600 | Enhanced ultrafast power diode |
| BYV29FB-600 | Enhanced ultrafast power diode |
| BYV29FD-600 | Enhanced ultrafast power diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BYV29-600,127 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) Diode Ult Fast Recov Rectifier 600V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BYV29-600PQ | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220AB 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標準包裝:1,000 |
| BYV29B-300 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ultrafast Rectifier |
| BYV29B-300/31 | 功能描述:整流器 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| BYV29B-300/81 | 功能描述:整流器 300 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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